主题：我国半导体SiC单晶粉料和设备生产实现新突破



据科技日报报道，据悉，中国电子科技集团公司第二研究所突破了大直径SiC生长的温场设计，实现可用于150mm直径SiC单晶生长炉高极限真空、低背景漏率生长炉设计制造及小批量生产；还突破了高纯SiC粉料中的杂质控制技术、粒度控制技术、晶型控制技术等关键技术，实现了99.9995%以上纯度的SiC粉料的批量生产。


【免责声明】上海大牛网络科技有限公司仅合法经营金融岛网络平台，从未开展任何咨询、委托理财业务。任何人的文章、言论仅代表其本人观点，与金融岛无关。金融岛对任何陈述、观点、判断保持中立，不对其准确性、可靠性或完整性提供任何明确或暗示的保证。股市有风险，请读者仅作参考，并请自行承担相应责任。